Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 氮化物半导体激光元件 | |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光元件 |
| 驹田聪; 津田有三 | |
| 2019-05-21 | |
| 专利权人 | 夏普株式会社 |
| 公开日期 | 2019-05-21 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明的课题在于在使用由氮化物半导体构成的基板的半导体激光元件中，一面抑制裂缝的产生一面良好地限制光，从而减低远场图案的纹波。氮化物半导体激光元件1在氮化物半导体基板11和n侧包覆层13之间顺次包括：AlGaN层的第一氮化物半导体层121、Al组分比小于第一氮化物半导体层121的AlGaN层的第二氮化物半导体层122、GaN层的第三氮化物半导体层123、InGaN层的第四氮化物半导体层124、以及AlGaN层的第五氮化物半导体层。 |
| 其他摘要 | 本发明的课题在于在使用由氮化物半导体构成的基板的半导体激光元件中，一面抑制裂缝的产生一面良好地限制光，从而减低远场图案的纹波。氮化物半导体激光元件1在氮化物半导体基板11和n侧包覆层13之间顺次包括：AlGaN层的第一氮化物半导体层121、Al组分比小于第一氮化物半导体层121的AlGaN层的第二氮化物半导体层122、GaN层的第三氮化物半导体层123、InGaN层的第四氮化物半导体层124、以及AlGaN层的第五氮化物半导体层。 |
| 申请日期 | 2018-10-24 |
| 专利号 | CN109787087A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201811246829.4 |
| 公开（公告）号 | CN109787087A |
| IPC 分类号 | H01S5/20 |
| 专利代理人 | 汪飞亚 | 习冬梅 |
| 代理机构 | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72465 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 驹田聪,津田有三. 氮化物半导体激光元件. CN109787087A[P]. 2019-05-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN109787087A.PDF（431KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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