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半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102035137B, 申请日期: 2013-01-09, 公开日期: 2013-01-09
发明人:  仓持尚叔;  日野智公;  平田达司郎;  吉田雄太
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多光束型半导体激光器、半导体发光器件以及半导体装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100376064C, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2008-03-19
发明人:  东条刚;  矢吹义文;  安斋信一;  日野智公;  后藤修;  藤本强;  松本治;  竹谷元伸;  大藤良夫
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半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4040192B2, 申请日期: 2007-11-16, 公开日期: 2008-01-30
发明人:  山口 恭司;  小林 俊雅;  喜嶋 悟;  小林 高志;  朝妻 庸紀;  浅野 竹春;  日野 智公
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多光束半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1305193C, 申请日期: 2007-03-14, 公开日期: 2007-03-14
发明人:  东条刚;  日野智公;  后藤修;  矢吹义文;  安斋信一;  内田史朗;  池田昌夫
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半导体器件制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1302519C, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2007-02-28
发明人:  日野智公;  浅野竹春;  朝妻庸纪;  喜嶋悟;  船户健次;  富谷茂隆
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氮化物半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1203598C, 申请日期: 2005-05-25, 公开日期: 2005-05-25
发明人:  冨谷茂隆;  日野智公
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半導体装置の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3678769B2, 申请日期: 2005-05-20, 公开日期: 2005-08-03
发明人:  小沢 正文;  中山 典一;  日野 智公
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2004179209A, 申请日期: 2004-06-24, 公开日期: 2004-06-24
发明人:  日野 智公;  成井 啓修;  御友 重吾;  岡野 展賢
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半導体発光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3557644B2, 申请日期: 2004-05-28, 公开日期: 2004-08-25
发明人:  奥山 浩之;  秋本 克洋;  石橋 晃;  白石 誠司;  伊藤 哲;  中野 一志;  池田 昌夫;  日野 智公;  浮田 昌一
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999204889A, 申请日期: 1999-07-30, 公开日期: 1999-07-30
发明人:  塚本 弘範;  谷口 理;  牧野 桜子;  日野 智公;  船戸 健次
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