半導体発光素子

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	半導体発光素子
其他题名	半導体発光素子
	塚本弘範; 谷口理; 牧野桜子; 日野智公; 船戸健次
	1999-07-30
专利权人	SONY CORP
公开日期	1999-07-30
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	(修正有) 【課題】 p側電極の寿命とひいては素子寿命の大幅な向上を図ることができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子において、p型クラッド層9およびその上のp型コンタクト層10、11、12、13をそれぞれストライプ形状に形成し、最上層のp型コンタクト層13とその上のp側電極15との接触界面におけるp型コンタクト層13のストライプ幅をp型クラッド層9の最小ストライプ幅の好ましくは5以上にする。p型クラッド層9または最下層のp型コンタクト層10の断面は順メサ形状、逆メサ形状、矩形の形状などとしp型クラッド層上にストライプ形状の開口を有する絶縁膜を設け、この開口を通じてp型クラッド層に接触するように絶縁膜上にp型コンタクト層を設け、p型コンタクト層とp側電極との接触界面におけるp型コンタクト層のストライプ幅をその開口の最小ストライプ幅の好ましくは5以上にする。
其他摘要	（经修改）要解决的问题：提供能够显着改善p侧电极的寿命并因此提高器件寿命的半导体发光元件。所述的半导体发光器件中，p型包层9和p型接触层10，11，12，在其上的13，分别形成为条状，在其上的顶层的p型接触层13 P在与侧电极15的接触界面处的p型接触层13的条带宽度优选地设定为p型包覆层9的最小条宽度的5或更大。 p型包层9或p型接触层10的底层的横截面为台面形状，倒台面形状，提供了具有条带形状如矩形形状的p型包覆层中的开口的绝缘膜，通过该开口形成绝缘膜上，以便接触所述p型包覆层的p型接触层，在p型接触层和所述开口的最小条形宽度的p侧电极之间的接触界面的p型接触层的条带宽度是优选它应该是5或更多。
申请日期	1998-05-27
专利号	JP1999204889A
专利状态	失效
申请号	JP1998145441
公开（公告）号	JP1999204889A
IPC 分类号	H01L33/34 \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01L33/06 \| H01S5/042 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L33/44 \| H01L33/28 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	杉浦正知
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80388
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	塚本弘範,谷口理,牧野桜子,等. 半導体発光素子. JP1999204889A[P]. 1999-07-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999204889A.PDF（198KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文