半導体発光素子の製造方法

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	半導体発光素子の製造方法
其他题名	半導体発光素子の製造方法
	山口恭司; 小林俊雅; 喜嶋悟; 小林高志; 朝妻庸紀; 浅野竹春; 日野智公
	2007-11-16
专利权人	ソニー株式会社
公开日期	2008-01-30
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子の横モードの安定化、高出力化および長寿命化を図ることができる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 GaN系半導体レーザにおいて、p型AlGaNクラッド層7の上層部に形成したリッジストライプ部の両側を埋め込むようにAlGaN埋め込み層9を設ける。AlGaN埋め込み層9は、p型AlGaNクラッド層7の上層部、p型GaNコンタクト層8をSiO2 膜21をエッチングマスクに用いてリッジストライプ形状にパターニングした後、リッジストライプ部上にSiO2 膜21を形成した状態で、リッジストライプ部の両側を埋めるようにAlGaN埋め込み層9を無選択成長させ、さらに、AlGaN埋め込み層9をSiO2膜21をエッチング停止層として用いてエッチングし、リッジストライプ部上のAlGaN埋め込み層9を除去することにより形成する。
其他摘要	使用氮化物III-V族化合物半导体，半导体发光器件及其制造方法，其能够实现高输出和长寿命的半导体发光器件的横模的稳定化。在GaN系半导体激光器，从而提供在AlGaN埋层9以掩埋形成在p型AlGaN包层7的上部分中的脊形条部分的两侧。的AlGaN埋入层9，图案化该p型AlGaN包层7，p型GaN接触层8的SiO 2 膜21作为蚀刻掩模，脊形条的脊条状上部后而形成SiO 2 在零件膜21中，AlGaN埋层9以掩埋脊形条部分的两侧是没有选择性生长，进一步，掩埋的AlGaN层9的SiO 2 膜21作为蚀刻停止层，并去除脊条部分上的AlGaN埋层9。
申请日期	1998-11-26
专利号	JP4040192B2
专利状态	失效
申请号	JP1998335853
公开（公告）号	JP4040192B2
IPC 分类号	H01S5/18 \| H01L33/00 \| H01L33/06 \| H01L33/12 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01S5/20 \| H01S5/22 \| H01S5/223 \| H01S5/227 \| H01S5/323 \| H01S5/343
专利代理人	森幸一
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84859
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ソニー株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	山口恭司,小林俊雅,喜嶋悟,等. 半導体発光素子の製造方法. JP4040192B2[P]. 2007-11-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP4040192B2.PDF（143KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文