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半導体装置の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3678769B2, 申请日期: 2005-05-20, 公开日期: 2005-08-03
发明人:  小沢 正文;  中山 典一;  日野 智公
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半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3505780B2, 申请日期: 2003-12-26, 公开日期: 2004-03-15
发明人:  石橋 晃;  中山 典一;  奥山 浩之
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半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3449751B2, 申请日期: 2003-07-11, 公开日期: 2003-09-22
发明人:  中野 一志;  大畑 豊治;  伊藤 哲;  中山 典一
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半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999150329A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02
发明人:  中山 典一;  大原 真穂;  金子 由美;  谷口 理;  長井 政春
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半導体発光素子およびその製造方法ならびに光記録および/または光再生装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998190154A, 申请日期: 1998-07-21, 公开日期: 1998-07-21
发明人:  石橋 晃;  谷口 理;  日野 智公;  小林 高志;  中野 一志;  中山 典一;  戸田 淳;  塚本 弘範;  牧野 桜子
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997293934A, 申请日期: 1997-11-11, 公开日期: 1997-11-11
发明人:  喜嶋 悟;  中山 典一;  石橋 晃
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995154035A, 申请日期: 1995-06-16, 公开日期: 1995-06-16
发明人:  伊藤 哲;  大畑 豊治;  石橋 晃;  中山 典一
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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995007220A, 申请日期: 1995-01-10, 公开日期: 1995-01-10
发明人:  中山 典一
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994326413A, 申请日期: 1994-11-25, 公开日期: 1994-11-25
发明人:  中山 典一
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半導体装置の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994252446A, 申请日期: 1994-09-09, 公开日期: 1994-09-09
发明人:  石橋 晃;  戸田 淳;  中山 典一
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