半导体激光器

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	半导体激光器
其他题名	半导体激光器
	仓持尚叔; 日野智公; 平田达司郎; 吉田雄太
	2013-01-09
专利权人	索尼公司
公开日期	2013-01-09
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明涉及一种半导体激光器。该半导体激光器包括：多个带状脊，这些带状脊隔着带状沟槽相互平行地布置，各带状脊至少依次包括下披覆层、活性层和上披覆层；上电极，其形成在所述各脊的顶面上，电连接至所述上披覆层；布线层，其电连接至所述上电极，布置在至少所述沟槽上方的中空处；及焊盘电极，其形成在从侧面将所述脊和所述沟槽夹在中间的两个区域中的至少一个区域中，经由所述布线层电连接至所述上电极，其中，所述沟槽上方的部分中的所述布线层具有平坦形状或向所述沟槽凹陷的凹形形状。即使在大温差的恶劣环境下，该半导体激光器也能减小布置在中空处的布线层破裂的可能性。
其他摘要	本发明涉及一种半导体激光器。该半导体激光器包括：多个带状脊，这些带状脊隔着带状沟槽相互平行地布置，各带状脊至少依次包括下披覆层、活性层和上披覆层；上电极，其形成在所述各脊的顶面上，电连接至所述上披覆层；布线层，其电连接至所述上电极，布置在至少所述沟槽上方的中空处；及焊盘电极，其形成在从侧面将所述脊和所述沟槽夹在中间的两个区域中的至少一个区域中，经由所述布线层电连接至所述上电极，其中，所述沟槽上方的部分中的所述布线层具有平坦形状或向所述沟槽凹陷的凹形形状。即使在大温差的恶劣环境下，该半导体激光器也能减小布置在中空处的布线层破裂的可能性。
申请日期	2010-09-20
专利号	CN102035137B
专利状态	失效
申请号	CN201010287555.0
公开（公告）号	CN102035137B
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/24
专利代理人	武玉琴 \| 陈桂香
代理机构	北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75105
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	索尼公司
推荐引用方式 GB/T 7714	仓持尚叔,日野智公,平田达司郎,等. 半导体激光器. CN102035137B[P]. 2013-01-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102035137B.PDF（948KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文