Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 日野 智公; 成井 啓修; 御友 重吾; 岡野 展賢 | |
| 2004-06-24 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 2004-06-24 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】キャリアのオーバーフローを抑制し、かつアスペクト比が小さくなる構成の長波長域の半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】本半導体レーザ素子10は、n型GaAs基板12上に、n型下部クラッド層14、光ガイド層16、Ga1-y Iny Nz As1-z (03 のAl0.30Ga0.70As下部下層クラッド層14A、屈折率がn2 のGaAs下部中間クラッド層14B、及び屈折率がn1 のAl0.47Ga0.53As下部上層クラッド層14Cで構成されている。上部クラッド層も同じである。 下部中間クラッド層14Bの屈折率:n2 >下部上層クラッド層14Cの屈折率:n3 >下部下層クラッド層14Aの屈折率:n1 の関係が成立している。上部クラッド層も同じである。 【選択図】 図1 |
| 其他摘要 | 提供一种长波长区域的半导体激光器件，其具有抑制载流子溢出并减小纵横比的结构。 解决方案：该半导体激光器件10具有n型下包层14，光导层16，Ga 1-y In y 0.30 GA 0.70 作为下下包层14A，折射率n 2的n个 3 的折射率的GaAs下中间包层14B和折射率n 1的Al 0.47 GA 0.53 的作为下层包层14C在被配置。上包层也是如此。 下中间包层14B的折射率：n中的下层包层14C的 2 >折光率：n 3 >下部下部包层14A的折射率：N 1 成立。上包层也是如此。 点域1 |
| 申请日期 | 2002-11-25 |
| 专利号 | JP2004179209A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2002340471 |
| 公开（公告）号 | JP2004179209A |
| IPC 分类号 | H01S5/20 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 畑中 芳実 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80409 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 日野 智公,成井 啓修,御友 重吾,等. 半導体レーザ素子. JP2004179209A[P]. 2004-06-24. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2004179209A.PDF（146KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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