Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 多光束型半导体激光器、半导体发光器件以及半导体装置 | |
| 其他题名 | 多光束型半导体激光器、半导体发光器件以及半导体装置 |
| 东条刚; 矢吹义文; 安斋信一; 日野智公; 后藤修; 藤本强; 松本治; 竹谷元伸; 大藤良夫 | |
| 2008-03-19 | |
| 专利权人 | 索尼株式会社 |
| 公开日期 | 2008-03-19 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种多光束型半导体激光器，其中在蓝宝石衬底或者类似衬底的一主表面上形成有具有激光器结构的氮化物系III-V族化合物半导体层，并且在所述氮化物系III-V族化合物半导体层上形成有多个阳极和阴极。一阳极被制成横跨一阴极，同时在它们之间存在一绝缘薄膜。另外一阳极被制成横跨另外一阴极，同时在它们之间也存在一绝缘薄膜。 |
| 其他摘要 | 一种多光束型半导体激光器，其中在蓝宝石衬底或者类似衬底的一主表面上形成有具有激光器结构的氮化物系III-V族化合物半导体层，并且在所述氮化物系III-V族化合物半导体层上形成有多个阳极和阴极。一阳极被制成横跨一阴极，同时在它们之间存在一绝缘薄膜。另外一阳极被制成横跨另外一阴极，同时在它们之间也存在一绝缘薄膜。 |
| 申请日期 | 2003-06-06 |
| 专利号 | CN100376064C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN03801074.7 |
| 公开（公告）号 | CN100376064C |
| IPC 分类号 | H01S5/042 | H01S5/40 | H01S5/22 | H01S5/323 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 李晓舒 | 魏晓刚 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48792 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 东条刚,矢吹义文,安斋信一,等. 多光束型半导体激光器、半导体发光器件以及半导体装置. CN100376064C[P]. 2008-03-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN100376064C.PDF（1149KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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