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半导体激光器件和半导体激光器件制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102714393A, 申请日期: 2012-10-03, 公开日期: 2012-10-03
发明人:  丹下贵志;  冨谷茂隆
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化合物半导体衬底的制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100481326C, 申请日期: 2009-04-22, 公开日期: 2009-04-22
发明人:  宫孝夫;  富谷茂隆;  碓井彰;  宫孝夫
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半导体光发射装置以及一种装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1933203A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
发明人:  朝妻庸纪;  冨谷茂隆;  玉村好司;  东条刚;  后藤修;  元木健作
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半导体器件制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1302519C, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2007-02-28
发明人:  日野智公;  浅野竹春;  朝妻庸纪;  喜嶋悟;  船户健次;  富谷茂隆
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氮化物半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1203598C, 申请日期: 2005-05-25, 公开日期: 2005-05-25
发明人:  冨谷茂隆;  日野智公
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