多光束半导体激光器

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	多光束半导体激光器
其他题名	多光束半导体激光器
	东条刚; 日野智公; 后藤修; 矢吹义文; 安斋信一; 内田史朗; 池田昌夫
	2007-03-14
专利权人	索尼公司
公开日期	2007-03-14
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	提供一种多光束半导体激光器，能够发射具有均匀光输出能级的各条激光束并能够轻易对齐。该多光束半导体激光器(40)是GaN为基的多光束半导体激光器，设置有能够发射具有相同波长的激光束的四个激光条(42A、42B、42C和42D)。各激光振荡区(42A至42D)设置有一个位于形成于蓝宝石衬底(44)上的台面式结构(46)上的p型共用电极(48)，并分别具有有源区(50A、50B、50C和50D)。两个n型电极(52A和52B)设置在一n型GaN接触层(54)上，并且作为共用电极与p型共用电极(48)相对设置在台面式结构(46)的两侧。激光条(42A)与激光条(42D)之间的距离A不大于100μm。激光条(42A)与n型电极(52B)之间的距离B1不大于150μm，同时激光条(42D)与n型电极(52A)之间的距离B2不大于150μm。
其他摘要	提供一种多光束半导体激光器，能够发射具有均匀光输出能级的各条激光束并能够轻易对齐。该多光束半导体激光器(40)是GaN为基的多光束半导体激光器，设置有能够发射具有相同波长的激光束的四个激光条(42A、42B、42C和42D)。各激光振荡区(42A至42D)设置有一个位于形成于蓝宝石衬底(44)上的台面式结构(46)上的p型共用电极(48)，并分别具有有源区(50A、50B、50C和50D)。两个n型电极(52A和52B)设置在一n型GaN接触层(54)上，并且作为共用电极与p型共用电极(48)相对设置在台面式结构(46)的两侧。激光条(42A)与激光条(42D)之间的距离A不大于100μm。激光条(42A)与n型电极(52B)之间的距离B1不大于150μm，同时激光条(42D)与n型电极(52A)之间的距离B2不大于150μm。
申请日期	2002-06-14
专利号	CN1305193C
专利状态	失效
申请号	CN02811754
公开（公告）号	CN1305193C
IPC 分类号	H01S5/40 \| H01S5/323 \| H01L21/205 \| H01S5/042 \| H01S5/22
专利代理人	李晓舒 \| 魏晓刚
代理机构	北京市柳沈律师事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47172
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	索尼公司
推荐引用方式 GB/T 7714	东条刚,日野智公,后藤修,等. 多光束半导体激光器. CN1305193C[P]. 2007-03-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1305193C.PDF（2607KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文