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| 半导体激光器及其制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106887789B, 申请日期: 2019-10-18, 公开日期: 2019-10-18
发明人: 黄莹; 刘建平; 程洋; 黄思溢; 张书明; 李德尧; 张立群; 杨辉
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| 半导体激光器及其激光谐振腔、光学限制结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110323670A, 申请日期: 2019-10-11, 公开日期: 2019-10-11
发明人: 刘建平; 江灵荣; 田爱琴; 杨辉
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| 一种脊形波导半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110021877A, 申请日期: 2019-07-16, 公开日期: 2019-07-16
发明人: 胡俊杰; 李德尧; 张立群; 刘建平; 张书明; 杨辉
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| 一种半导体激光器及激光器芯片 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110021874A, 申请日期: 2019-07-16, 公开日期: 2019-07-16
发明人: 胡俊杰; 张书明; 李德尧; 刘建平; 张立群; 杨辉
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| 一种半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110021876A, 申请日期: 2019-07-16, 公开日期: 2019-07-16
发明人: 胡俊杰; 张书明; 刘建平; 李德尧; 张立群; 杨辉
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| GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106711764B, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
发明人: 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 杨辉; 池田昌夫; 刘建平; 张书明; 李德尧; 张立群
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| GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106711764B, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
发明人: 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 杨辉; 池田昌夫; 刘建平; 张书明; 李德尧; 张立群
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| 一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104953467B, 申请日期: 2019-02-12, 公开日期: 2019-02-12
发明人: 温鹏雁; 李德尧; 张书明; 刘建平; 张立群; 杨辉
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| 一种低电阻、低热阻的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108718030A, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2018-10-30
发明人: 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 高宏伟; 杨辉
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| 氮化物半导体发光器件及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108305918A, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2018-07-20
发明人: 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 高宏伟; 杨辉
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