半导体激光器及其激光谐振腔、光学限制结构

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	半导体激光器及其激光谐振腔、光学限制结构
其他题名	半导体激光器及其激光谐振腔、光学限制结构
	刘建平; 江灵荣; 田爱琴; 杨辉
	2019-10-11
专利权人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
公开日期	2019-10-11
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种半导体激光器及其激光谐振腔、光学限制结构。其中，光学限制结构包括波导层和设于波导层表面上的包覆层，包覆层的折射率小于波导层的折射率，包覆层用于反射从波导层射入包覆层的光线，包覆层为铝铟镓氮四元合金。激光谐振腔包括了上述的两个光学限制结构，两个光学限制结构的波导层彼此面对，从而实现沿激光器的生长方向上的光学限制。半导体激光器包括衬底和上述的激光谐振腔。本发明解决了现有技术中光学限制层结构难以具有较高的光学限制作用的同时，保持稳定的结构的问题。
其他摘要	本发明公开了一种半导体激光器及其激光谐振腔、光学限制结构。其中，光学限制结构包括波导层和设于波导层表面上的包覆层，包覆层的折射率小于波导层的折射率，包覆层用于反射从波导层射入包覆层的光线，包覆层为铝铟镓氮四元合金。激光谐振腔包括了上述的两个光学限制结构，两个光学限制结构的波导层彼此面对，从而实现沿激光器的生长方向上的光学限制。半导体激光器包括衬底和上述的激光谐振腔。本发明解决了现有技术中光学限制层结构难以具有较高的光学限制作用的同时，保持稳定的结构的问题。
主权项	一种用于形成激光谐振腔的光学限制结构，其特征在于，包括波导层和设于所述波导层表面上的包覆层，所述包覆层的折射率小于所述波导层的折射率，所述包覆层用于反射从所述波导层射入所述包覆层的光线，其中，所述包覆层为铝铟镓氮四元合金。
申请日期	2019-06-25
专利号	CN110323670A
专利状态	申请中
申请号	CN201910553373.4
公开（公告）号	CN110323670A
IPC 分类号	H01S5/20 \| H01S5/10
专利代理人	孙伟峰
代理机构	深圳市铭粤知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57272
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘建平,江灵荣,田爱琴,等. 半导体激光器及其激光谐振腔、光学限制结构. CN110323670A[P]. 2019-10-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110323670A.PDF（431KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文