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半导体激光器及其制作方法
其他题名半导体激光器及其制作方法
黄莹; 刘建平; 程洋; 黄思溢; 张书明; 李德尧; 张立群; 杨辉
2019-10-18
专利权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
公开日期2019-10-18
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明提供一种半导体激光器及其制作方法,所述半导体激光器包括衬底、设置于所述衬底上的下限制层及设置于所述下限制层上的下波导层、第一掩膜波导、第二掩膜波导,所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导分别位于所述下波导层的两侧,所述半导体激光器还包括依次叠层设置于所述下波导层上的有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层及接触层,所述接触层分别延伸至所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导的上表面。本发明提供的半导体激光器,能够增加接触层的接触面积,减小接触电阻,降低热损耗,提升半导体激光器的性能。
其他摘要本发明提供一种半导体激光器及其制作方法,所述半导体激光器包括衬底、设置于所述衬底上的下限制层及设置于所述下限制层上的下波导层、第一掩膜波导、第二掩膜波导,所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导分别位于所述下波导层的两侧,所述半导体激光器还包括依次叠层设置于所述下波导层上的有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层及接触层,所述接触层分别延伸至所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导的上表面。本发明提供的半导体激光器,能够增加接触层的接触面积,减小接触电阻,降低热损耗,提升半导体激光器的性能。
申请日期2017-03-13
专利号CN106887789B
专利状态授权
申请号CN201710147067.1
公开(公告)号CN106887789B
IPC 分类号H01S5/32 | H01S5/20 | H01S5/22
专利代理人孙伟峰
代理机构深圳市铭粤知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32194
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
黄莹,刘建平,程洋,等. 半导体激光器及其制作方法. CN106887789B[P]. 2019-10-18.
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