一种脊形波导半导体激光器及其制备方法

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	一种脊形波导半导体激光器及其制备方法
其他题名	一种脊形波导半导体激光器及其制备方法
	胡俊杰; 李德尧; 张立群; 刘建平; 张书明; 杨辉
	2019-07-16
专利权人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
公开日期	2019-07-16
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种脊形波导半导体激光器及其制备方法，在所述脊形波导半导体激光器中，通过对脊形部两侧和所述脊形部上的覆盖层的两侧进行离子注入，形成离子注入区，载流子几乎仅能在所述离子注入区以外的中央区域通过，利用了基模与高阶模增益的差别，抑制了高阶模的激射，使得所述脊形波导半导体激光器能在较大的脊形条宽时下仍能以基模稳定地工作，由于只通过激光光子密度高的中央区域注入载流子，可大幅度提高脊形波导半导体激光器的光电转换效率和斜率效率，实现大功率基模激光激射。
其他摘要	本发明公开了一种脊形波导半导体激光器及其制备方法，在所述脊形波导半导体激光器中，通过对脊形部两侧和所述脊形部上的覆盖层的两侧进行离子注入，形成离子注入区，载流子几乎仅能在所述离子注入区以外的中央区域通过，利用了基模与高阶模增益的差别，抑制了高阶模的激射，使得所述脊形波导半导体激光器能在较大的脊形条宽时下仍能以基模稳定地工作，由于只通过激光光子密度高的中央区域注入载流子，可大幅度提高脊形波导半导体激光器的光电转换效率和斜率效率，实现大功率基模激光激射。
主权项	一种脊形波导半导体激光器，其特征在于，包括衬底(1)、下限制层(2)、下波导层(3)、有源层(4)、上波导层(5)、电子阻挡层(6)、上限制层(7)、覆盖层(8)、绝缘层(9)、背电极(10)和上电极(11)；所述衬底(1)、下限制层(2)、下波导层(3)、有源层(4)、上波导层(5)、电子阻挡层(6)和上限制层(7)依次叠层设置在所述背电极(10)上；所述上限制层(7)包括本体层(71)和由所述本体层凸出形成的脊形部(72)，所述覆盖层(8)覆盖于所述脊形部(72)的上表面上，所述绝缘层(9)覆盖于所述脊形部(72)的侧表面和所述本体层(71)上，所述脊形部(72)和所述覆盖层(8)的两侧分别被注入离子，以形成离子注入区(100)。
申请日期	2018-01-10
专利号	CN110021877A
专利状态	申请中
申请号	CN201810023879.X
公开（公告）号	CN110021877A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/32
专利代理人	孙伟峰
代理机构	深圳市铭粤知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55380
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	胡俊杰,李德尧,张立群,等. 一种脊形波导半导体激光器及其制备方法. CN110021877A[P]. 2019-07-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110021877A.PDF（595KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文