Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种半导体激光器及其制备方法 | |
| 其他题名 | 一种半导体激光器及其制备方法 |
| 胡俊杰; 张书明; 刘建平; 李德尧; 张立群; 杨辉 | |
| 2019-07-16 | |
| 专利权人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 公开日期 | 2019-07-16 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器及其制备方法，通过对接触层和上限制层的两侧进行离子注入，形成晶格损伤高阻区，限制载流子在所述接触层和上限制层上的横向扩散；再通过对所述晶格损伤高阻区与上电极接触的部分进行晶格损伤修复，形成晶格修复区，使所述晶格修复区恢复导电性能。由此，所述半导体激光器既能起到普通脊形波导半导体激光器对载流子横向扩散的限制作用，还增大了所述接触层与上电极之间的接触面积，即增大了P型欧姆接触的面积，从而降低了上电极的接触电阻，降低了半导体激光器的工作电压。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器及其制备方法，通过对接触层和上限制层的两侧进行离子注入，形成晶格损伤高阻区，限制载流子在所述接触层和上限制层上的横向扩散；再通过对所述晶格损伤高阻区与上电极接触的部分进行晶格损伤修复，形成晶格修复区，使所述晶格修复区恢复导电性能。由此，所述半导体激光器既能起到普通脊形波导半导体激光器对载流子横向扩散的限制作用，还增大了所述接触层与上电极之间的接触面积，即增大了P型欧姆接触的面积，从而降低了上电极的接触电阻，降低了半导体激光器的工作电压。 |
| 申请日期 | 2018-01-10 |
| 专利号 | CN110021876A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201810023796.0 |
| 公开（公告）号 | CN110021876A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/20 |
| 专利代理人 | 孙伟峰 |
| 代理机构 | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72515 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡俊杰,张书明,刘建平,等. 一种半导体激光器及其制备方法. CN110021876A[P]. 2019-07-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN110021876A.PDF（489KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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