一种半导体激光器及激光器芯片

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	一种半导体激光器及激光器芯片
其他题名	一种半导体激光器及激光器芯片
	胡俊杰; 张书明; 李德尧; 刘建平; 张立群; 杨辉
	2019-07-16
专利权人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
公开日期	2019-07-16
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种半导体激光器及激光器芯片，所述半导体激光器根据其激光器芯片的谐振腔上的温度分布，调整了过渡热沉的宽度，使沿谐振腔的前腔面到后腔面的方向上，温度均匀分布；而所述激光器芯片根据多个脊形波导结构的所处位置的温度分布，通过调整各脊形波导结构的宽度以及相互之间的间距，以减小脊形波导结构之间的热串扰现象带来的影响，使各个脊形波导结构之间的温度保持相近，由此提高了半导体激光器和激光器芯片的稳定性，并延长了半导体激光器和激光器芯片的使用寿命。
其他摘要	本发明公开了一种半导体激光器及激光器芯片，所述半导体激光器根据其激光器芯片的谐振腔上的温度分布，调整了过渡热沉的宽度，使沿谐振腔的前腔面到后腔面的方向上，温度均匀分布；而所述激光器芯片根据多个脊形波导结构的所处位置的温度分布，通过调整各脊形波导结构的宽度以及相互之间的间距，以减小脊形波导结构之间的热串扰现象带来的影响，使各个脊形波导结构之间的温度保持相近，由此提高了半导体激光器和激光器芯片的稳定性，并延长了半导体激光器和激光器芯片的使用寿命。
主权项	一种半导体激光器，其特征在于，包括：承载热沉(1)、过渡热沉(2)和激光器芯片(3)，所述过渡热沉(2)设置在所述承载热沉(1)上，所述过渡热沉(2)的第一侧面与所述承载热沉(1)的第一侧面对齐，所述激光器芯片(3)设置在所述过渡热沉(2)上，所述激光器芯片(3)包括彼此相对的前腔面和后腔面，所述前腔面和所述过渡热沉的第一侧面对齐，所述过渡热沉(2)的宽度沿着所述前腔面到所述后腔面的方向逐渐减小。
申请日期	2018-01-10
专利号	CN110021874A
专利状态	申请中
申请号	CN201810024179.2
公开（公告）号	CN110021874A
IPC 分类号	H01S5/06 \| H01S5/024 \| H01S5/022
专利代理人	孙伟峰
代理机构	深圳市铭粤知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55381
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	胡俊杰,张书明,李德尧,等. 一种半导体激光器及激光器芯片. CN110021874A[P]. 2019-07-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110021874A.PDF（732KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文