一种低电阻、低热阻的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法

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	一种低电阻、低热阻的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法
其他题名	一种低电阻、低热阻的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法
	孙钱; 冯美鑫; 周宇; 高宏伟; 杨辉
	2018-10-30
专利权人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
公开日期	2018-10-30
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种半导体微腔激光器结构及其制备方法，将在氮化物半导体的氮面制备微腔激光器，(0001)镓面的p型欧姆接触采用整面接触的方式，大幅降低微腔激光器的串联电阻；微腔激光器的热量直接传导到高热导率的热沉中，在氮面制备微腔激光器，采用湿法腐蚀的方法制作微腔激光器的侧壁，可以大幅提升微腔激光器的稳定性，采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON材料作为微腔激光器的光学限制层，提供强的光学限制。本发明提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有电阻小、热阻低、易实现电注入和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。
其他摘要	本发明提供一种半导体微腔激光器结构及其制备方法，将在氮化物半导体的氮面制备微腔激光器，(0001)镓面的p型欧姆接触采用整面接触的方式，大幅降低微腔激光器的串联电阻；微腔激光器的热量直接传导到高热导率的热沉中，在氮面制备微腔激光器，采用湿法腐蚀的方法制作微腔激光器的侧壁，可以大幅提升微腔激光器的稳定性，采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON材料作为微腔激光器的光学限制层，提供强的光学限制。本发明提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有电阻小、热阻低、易实现电注入和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。
主权项	一种低电阻、低热阻的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法，其特征在于：包含n型接触层、n型光学限制层、下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、p型光学限制层和p型接触层。
申请日期	2018-04-24
专利号	CN108718030A
专利状态	申请中
申请号	CN201810373946.0
公开（公告）号	CN108718030A
IPC 分类号	H01S5/042 \| H01S5/32
专利代理人	刘华
代理机构	南昌新天下专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57948
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	孙钱,冯美鑫,周宇,等. 一种低电阻、低热阻的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法. CN108718030A[P]. 2018-10-30.

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CN108718030A.PDF（629KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文