GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法

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	GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法
其他题名	GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法
	孙钱; 冯美鑫; 周宇; 杨辉; 池田昌夫; 刘建平; 张书明; 李德尧; 张立群
	2019-07-05
专利权人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
公开日期	2019-07-05
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法。所述激光器和超辐射发光二极管的脊型结构通过外延生长直接形成，其包括表面分布有条形台阶结构的衬底，设置在所述衬底上并包覆所述条形台阶结构的、具有脊型结构的外延层，所述外延层包括依次于衬底上形成的下接触层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层和上接触层。本发明通过在衬底上形成窗口区或预先刻蚀形成台阶结构的方法，直接在衬底上生长激光器和超辐射发光二极管脊型，脊型结构的两侧生长有光学限制层，不仅可有效提升器件的横向限制，降低器件的阈值电流，同时还可省去刻蚀操作，从而避免刻蚀损伤，进一步降低器件阈值电流，提高器件可靠性。
其他摘要	本发明公开了一种GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法。所述激光器和超辐射发光二极管的脊型结构通过外延生长直接形成，其包括表面分布有条形台阶结构的衬底，设置在所述衬底上并包覆所述条形台阶结构的、具有脊型结构的外延层，所述外延层包括依次于衬底上形成的下接触层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层和上接触层。本发明通过在衬底上形成窗口区或预先刻蚀形成台阶结构的方法，直接在衬底上生长激光器和超辐射发光二极管脊型，脊型结构的两侧生长有光学限制层，不仅可有效提升器件的横向限制，降低器件的阈值电流，同时还可省去刻蚀操作，从而避免刻蚀损伤，进一步降低器件阈值电流，提高器件可靠性。
申请日期	2015-11-16
专利号	CN106711764B
专利状态	授权
申请号	CN201510783197.5
公开（公告）号	CN106711764B
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	王锋
代理机构	南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49421
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	孙钱,冯美鑫,周宇,等. GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法. CN106711764B[P]. 2019-07-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106711764B.PDF（442KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文