Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法 | |
| 其他题名 | 一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法 |
| 温鹏雁; 李德尧; 张书明; 刘建平; 张立群; 杨辉 | |
| 2019-02-12 | |
| 专利权人 | 杭州增益光电科技有限公司 |
| 公开日期 | 2019-02-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明公开一种氮化镓基半导体激光器，包括衬底、设置在衬底上的波导结构及设置在衬底与波导结构之间的多量子阱吸收层，其中，多量子阱吸收层用于吸收由波导结构泄漏到衬底中的光。本发明还公开一种氮化镓基半导体激光器的制作方法。本发明的氮化镓基半导体激光器及其制作方法，未出现衬底模式，改善了远场光斑。 |
| 其他摘要 | 本发明公开一种氮化镓基半导体激光器，包括衬底、设置在衬底上的波导结构及设置在衬底与波导结构之间的多量子阱吸收层，其中，多量子阱吸收层用于吸收由波导结构泄漏到衬底中的光。本发明还公开一种氮化镓基半导体激光器的制作方法。本发明的氮化镓基半导体激光器及其制作方法，未出现衬底模式，改善了远场光斑。 |
| 授权日期 | 2019-02-12 |
| 申请日期 | 2014-03-27 |
| 专利号 | CN104953467B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201410120399.7 |
| 公开（公告）号 | CN104953467B |
| IPC 分类号 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 孙伟峰 | 杨林 |
| 代理机构 | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38182 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 杭州增益光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 温鹏雁,李德尧,张书明,等. 一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法. CN104953467B[P]. 2019-02-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN104953467B.PDF（290KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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