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| 一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN209358060U, 申请日期: 2019-09-06, 公开日期: 2019-09-06
发明人: 刘从军; 王兴; 张海超; 岳宗豪; 许众; 赵赫; 王凡; 高晨
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| 一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN209358060U, 申请日期: 2019-09-06, 公开日期: 2019-09-06
发明人: 刘从军; 王兴; 张海超; 岳宗豪; 许众; 赵赫; 王凡; 高晨
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| 一种双波长多模式半导体激光治疗仪控制系统 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN208726563U, 申请日期: 2019-04-12, 公开日期: 2019-04-12
发明人: 张志鹏; 丁向东; 季晓倩; 王振兴; 宋杭; 岳宝航; 孙娟; 高俊泽
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| 生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN208570525U, 申请日期: 2019-03-01, 公开日期: 2019-03-01
发明人: 李国强; 高芳亮; 张曙光; 徐珍珠; 余粤锋
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| 生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN208570525U, 申请日期: 2019-03-01, 公开日期: 2019-03-01
发明人: 李国强; 高芳亮; 张曙光; 徐珍珠; 余粤锋
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| 生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109003883A, 申请日期: 2018-12-14, 公开日期: 2018-12-14
发明人: 李国强; 高芳亮; 张曙光; 徐珍珠; 余粤锋
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| 硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱及制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109003888A, 申请日期: 2018-12-14, 公开日期: 2018-12-14
发明人: 李国强; 高芳亮; 余粤锋; 徐珍珠
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| 生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108735866A, 申请日期: 2018-11-02, 公开日期: 2018-11-02
发明人: 高芳亮; 李国强; 徐珍珠; 余粤锋
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| 一种相对位姿视觉测量敏感器用同轴均匀照明系统 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108445640A, 申请日期: 2018-08-24, 公开日期: 2018-08-24
发明人: 龚德铸; 刘伟奇; 白山; 康玉思; 钟俊; 付瀚毅; 刘启海; 华宝成; 卢纯青; 赵春晖; 王世新; 郑岩; 袁琦; 高文文; 邹月; 张成龙; 刘阳 ; 安思颖
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| 基于GeSn/SiGeSn材料的应变多量子阱激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107342535A, 申请日期: 2017-11-10, 公开日期: 2017-11-10
发明人: 刘艳; 高曦; 韩根全; 郝跃; 张庆芳
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