基于GeSn/SiGeSn材料的应变多量子阱激光器及其制作方法

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	基于GeSn/SiGeSn材料的应变多量子阱激光器及其制作方法
其他题名	基于GeSn/SiGeSn材料的应变多量子阱激光器及其制作方法
	刘艳; 高曦; 韩根全; 郝跃; 张庆芳
	2017-11-10
专利权人	西安电子科技大学
公开日期	2017-11-10
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种基于GeSn/SiGeSn材料的应变多量子阱激光器及其制作方法，势垒层采用GeSiSn材料；势阱层采用GeSn材料。赝衬底(Ge)、缓冲层(GeSn)、有源区(GeSn/GeSiSn)在衬底(Si)上依次由下至上竖直分布，且Si3N4张应力薄膜包裹在赝衬底、缓冲层及有源区的周围。本发明激光器的制作方法包括：(1)采用低温固源分子束外延生长工艺生长GeSn及GeSiSn材料，(2)采用标准激光器制作工艺加工器件。本发明通过多量子阱结构和外加Si3N4应力薄膜引入的张应变，不仅使激光器的激光波长发生了红移，而且明显提高了激光器的光增益并极大的降低了阈值。
其他摘要	本发明公开了一种基于GeSn/SiGeSn材料的应变多量子阱激光器及其制作方法，势垒层采用GeSiSn材料；势阱层采用GeSn材料。赝衬底(Ge)、缓冲层(GeSn)、有源区(GeSn/GeSiSn)在衬底(Si)上依次由下至上竖直分布，且Si3N4张应力薄膜包裹在赝衬底、缓冲层及有源区的周围。本发明激光器的制作方法包括：(1)采用低温固源分子束外延生长工艺生长GeSn及GeSiSn材料，(2)采用标准激光器制作工艺加工器件。本发明通过多量子阱结构和外加Si3N4应力薄膜引入的张应变，不仅使激光器的激光波长发生了红移，而且明显提高了激光器的光增益并极大的降低了阈值。
申请日期	2017-06-20
专利号	CN107342535A
专利状态	授权
申请号	CN201710469827.0
公开（公告）号	CN107342535A
IPC 分类号	H01S5/34
专利代理人	佘文英
代理机构	西安文盛专利代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90480
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	西安电子科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	刘艳,高曦,韩根全,等. 基于GeSn/SiGeSn材料的应变多量子阱激光器及其制作方法. CN107342535A[P]. 2017-11-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107342535A.PDF（123KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文