一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构

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	一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构
其他题名	一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构
	刘从军; 王兴; 张海超; 岳宗豪; 许众; 赵赫; 王凡; 高晨
	2019-09-06
专利权人	陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司
公开日期	2019-09-06
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型提供的一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构，包括具有P‑InP/N‑InP同质结结构的衬底，该衬底的表面形成有波导结构，该波导结构的两侧波导区分别形成有N‑InP结构，所述N‑InP结构的高度大于波导结构的高度，使得在波导区正上方形成漏斗状结构；本实用新型提供的一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构，包括具有P‑InP/N‑InP同质结结构的衬底，该衬底的表面形成有波导结构，该波导结构的两侧波导区分别形成有N‑InP结构，所述N‑InP结构的高度大于波导结构的高度，使得在波导区正上方形成漏斗状结构。
其他摘要	本实用新型提供的一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构，包括具有P‑InP/N‑InP同质结结构的衬底，该衬底的表面形成有波导结构，该波导结构的两侧波导区分别形成有N‑InP结构，所述N‑InP结构的高度大于波导结构的高度，使得在波导区正上方形成漏斗状结构；本实用新型提供的一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构，包括具有P‑InP/N‑InP同质结结构的衬底，该衬底的表面形成有波导结构，该波导结构的两侧波导区分别形成有N‑InP结构，所述N‑InP结构的高度大于波导结构的高度，使得在波导区正上方形成漏斗状结构。
申请日期	2019-01-22
专利号	CN209358060U
专利状态	授权
申请号	CN201920110029.3
公开（公告）号	CN209358060U
IPC 分类号	H01S5/12 \| H01S5/223 \| H01S5/323
专利代理人	徐文权
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49473
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司
推荐引用方式 GB/T 7714	刘从军,王兴,张海超,等. 一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构. CN209358060U[P]. 2019-09-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN209358060U.PDF（268KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文