生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片及其制备方法

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	生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片及其制备方法
其他题名	生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片及其制备方法
	高芳亮; 李国强; 徐珍珠; 余粤锋
	2018-11-02
专利权人	华南理工大学
公开日期	2018-11-02
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明属于半导体器件的技术领域，公开了生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片及其制备方法。生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片，由下至上依次包括Si衬底、石墨烯层、In金属纳米微球层和InN纳米柱层。本发明还公开了生长在Si/石墨烯复合衬底上的InN纳米柱外延片的制备方法。本发明的纳米柱直径均一、高有序性，同时解决了InN因与Si之间存在较大晶格失配而在其中产生大量位错的技术难题，大大减少了InN纳米柱外延层的缺陷密度，有利提高了载流子的辐射复合效率，改善InN纳米柱外延片的性能，可大幅度提高氮化物器件如半导体激光器、发光二极管的发光效率。
其他摘要	本发明属于半导体器件的技术领域，公开了生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片及其制备方法。生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片，由下至上依次包括Si衬底、石墨烯层、In金属纳米微球层和InN纳米柱层。本发明还公开了生长在Si/石墨烯复合衬底上的InN纳米柱外延片的制备方法。本发明的纳米柱直径均一、高有序性，同时解决了InN因与Si之间存在较大晶格失配而在其中产生大量位错的技术难题，大大减少了InN纳米柱外延层的缺陷密度，有利提高了载流子的辐射复合效率，改善InN纳米柱外延片的性能，可大幅度提高氮化物器件如半导体激光器、发光二极管的发光效率。
主权项	生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片，其特征在于：由下至上依次包括Si衬底、石墨烯层、In金属纳米微球层和InN纳米柱层。
申请日期	2018-07-20
专利号	CN108735866A
专利状态	申请中
申请号	CN201810803947.4
公开（公告）号	CN108735866A
IPC 分类号	H01L33/02 \| H01L33/06 \| H01L33/32 \| H01L33/00 \| H01S5/02 \| H01S5/343 \| B82Y40/00
专利代理人	陈智英
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57090
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	华南理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	高芳亮,李国强,徐珍珠,等. 生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片及其制备方法. CN108735866A[P]. 2018-11-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108735866A.PDF（546KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文