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基于GeSn/SiGeSn材料的应变多量子阱激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107342535A, 申请日期: 2017-11-10, 公开日期: 2017-11-10
发明人:  刘艳;  高曦;  韩根全;  郝跃;  张庆芳
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