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一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN209358060U, 申请日期: 2019-09-06, 公开日期: 2019-09-06
发明人:  刘从军;  王兴;  张海超;  岳宗豪;  许众;  赵赫;  王凡;  高晨
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一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN209358060U, 申请日期: 2019-09-06, 公开日期: 2019-09-06
发明人:  刘从军;  王兴;  张海超;  岳宗豪;  许众;  赵赫;  王凡;  高晨
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基于GeSn/SiGeSn材料的应变多量子阱激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107342535A, 申请日期: 2017-11-10, 公开日期: 2017-11-10
发明人:  刘艳;  高曦;  韩根全;  郝跃;  张庆芳
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基于Al2O3衬底的GaN薄膜的生长方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100492592C, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 2009-05-27
发明人:  郝跃;  倪金玉;  张进成
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