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半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010045165A, 申请日期: 2010-02-25, 公开日期: 2010-02-25
发明人:  岸野 克巳;  野村 一郎;  玉村 好司;  田才 邦彦;  朝妻 庸紀;  中島 博;  中村 均;  藤崎 寿美子;  紀川 健
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010040923A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18
发明人:  岸野 克巳;  野村 一郎;  田才 邦彦;  玉村 好司;  朝妻 庸紀;  中島 博;  中村 均;  藤崎 寿美子;  紀川 健
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具有InP衬底的光半导体装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100514774C, 申请日期: 2009-07-15, 公开日期: 2009-07-15
发明人:  岸野克巳;  野村一郎;  玉村好司;  中村均
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多重量子井戸型半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4069479B2, 申请日期: 2008-01-25, 公开日期: 2008-04-02
发明人:  玉村 好司;  野口 裕泰
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半导体光发射装置以及一种装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1933203A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
发明人:  朝妻庸纪;  冨谷茂隆;  玉村好司;  东条刚;  后藤修;  元木健作
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半導体発光装置とその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3817806B2, 申请日期: 2006-06-23, 公开日期: 2006-09-06
发明人:  玉村 好司;  河角 孝行;  平田 照二
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決定化合物半導體層之臨界膜厚的方法、以及使用該決定方法來製造半導體裝置的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: TW423092B, 申请日期: 2001-02-21, 公开日期: 2001-02-21
发明人:  玉村好司;  本弘範;  長井政春;  池田昌夫
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半導体発光装置およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999168257A, 申请日期: 1999-06-22, 公开日期: 1999-06-22
发明人:  玉村 好司
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Inを含むp型III-V族化合物半導体層の成長方法および半導体発光装置の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999121872A, 申请日期: 1999-04-30, 公开日期: 1999-04-30
发明人:  玉村 好司
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半導体発光装置とその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999087764A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
发明人:  玉村 好司
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