Inを含むp型III-V族化合物半導体層の成長方法および半導体発光装置の製造方法

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	Inを含むp型III-V族化合物半導体層の成長方法および半導体発光装置の製造方法
其他题名	Inを含むp型III-V族化合物半導体層の成長方法および半導体発光装置の製造方法
	玉村好司
	1999-04-30
专利权人	SONY CORP
公开日期	1999-04-30
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】層全体の結晶性が良好なInを含むp型III-V族化合物半導体層を成長させることができる成長方法およびそのような成長方法を用いた半導体発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】 AlGaInP系半導体レーザの製造において、活性層14を成長させた後に、アクセプタとしてZnを用いてp型(Alx Ga1-x )z In1-z Pクラッド層15を成長させるとき、その成長初期に、成長温度に応じて、成長原料の全供給量に対するIn原料、例えばTMInの供給量の比率を徐々に増加または減少させ、成長に伴うp型(Alx Ga1-x )z In1-z Pクラッド層15におけるZnの濃度変化によるInの取り込み量の変化を打ち消す。
其他摘要	要解决的问题：提供一种能够生长含有整个层具有优异结晶性的铟的p型III-V族化合物半导体层的生长方法和使用这种生长方法制造半导体发光器件的方法。在制造AlGaInP半导体激光器时，在生长有源层之后，p型（Al x Ga 1-x ） z In 1-z 当生长P包层15时，根据生长温度，例如，TMIn的供应量的比例逐渐增加或减少，并且p型（Al x Ga 1 - x ） z 在 1-z 中，忽略由于P包覆层15中的Zn浓度的变化而导入的In量的变化。
申请日期	1997-10-17
专利号	JP1999121872A
专利状态	失效
申请号	JP1997285512
公开（公告）号	JP1999121872A
IPC 分类号	E02D3/12 \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01L33/06 \| C30B29/48 \| E21B7/00 \| H01L33/30 \| H01S5/00 \| H01L21/205 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	杉浦正知
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87166
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	玉村好司. Inを含むp型III-V族化合物半導体層の成長方法および半導体発光装置の製造方法. JP1999121872A[P]. 1999-04-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999121872A.PDF（51KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文