Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光装置とその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体発光装置とその製造方法 |
| 玉村 好司 | |
| 1999-03-30 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 1999-03-30 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 複雑な構造を有する歪み量子井戸半導体レーザー等の歪み半導体発光装置において、その積層半導体全体に対する歪みの影響の波及を抑制することができるようにする。 【解決手段】 化合物半導体基体1上に、少なくともバッファ層と、第1導電型の第1クラッド層3と、活性層4と、第2導電型の第2クラッド層5と、一方の電極がオーミックコンタクトされるキャップ層7とを有する積層半導体層が形成され、その活性層に歪みを導入した構成とし、バッファ層およびキャップ層の少なくとも一方に上記歪みを補償する歪みを導入する。 |
| 其他摘要 | 在诸如具有复杂结构的应变量子阱半导体激光器的应变半导体发光器件中，可以抑制失真对整个堆叠半导体的影响的扩展。 解决方案：化合物半导体衬底1至少具有缓冲层，第一导电类型的第一覆层3，有源层4，第二导电类型的第二覆层5，并且使盖层彼此接触，将应变引入有源层，并且将用于补偿变形的变形引入缓冲层和盖层中的至少一个。 |
| 申请日期 | 1997-09-01 |
| 专利号 | JP1999087764A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997235964 |
| 公开（公告）号 | JP1999087764A |
| IPC 分类号 | H01L33/12 | H01L33/06 | H01L33/30 | H01L33/14 | H01S5/00 | H01L33/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 松隈 秀盛 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84710 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 玉村 好司. 半導体発光装置とその製造方法. JP1999087764A[P]. 1999-03-30. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999087764A.PDF（31KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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