半導体発光装置およびその製造方法

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	半導体発光装置およびその製造方法
其他题名	半導体発光装置およびその製造方法
	玉村好司
	1999-06-22
专利权人	SONY CORP
公开日期	1999-06-22
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】しきい値電流および動作電流の低減を図ることができるとともに、横モードの制御を図ることができる、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光装置において、第2導電型のクラッド層8上にストライプ形状を有する第2導電型のコンタクト層10を設け、このコンタクト層10の両側の部分に、少なくとも一部が電気的にほぼ絶縁性の窒化物系III-V族化合物半導体からなる電流狭窄層11、12を設けて電流狭窄構造を形成する。このような電流狭窄構造を形成するには、クラッド層8上にエッチングストップ層9および電流狭窄層11、12を成長させた後、エッチングストップ層9を用いて電流狭窄層11、12を選択的にエッチングすることによりストライプ形状の開口を形成し、この開口の内部にコンタクト層10を選択的に成長させて埋め込む。
其他摘要	甲所以能够减小阈值电流和工作电流，可以控制横模，其使用氮化物III-V化合物半导体的半导体发光装置及其制造方法到。在该半导体使用的氮化物III-V化合物半导体发光器件中，第二导电型包覆层8，接触层10上提供了一个条状的第二导电型接触层10上，以形成电流限制结构的部分的两侧，提供了一种电流限制层11，12至少部分地由电绝缘基本氮化物III-V族化合物半导体。为了形成这样的电流限制结构中，通过使用蚀刻停止层9的包层8，选择性电流限制层11和12上生长的蚀刻停止层9和电流限制层11之后通过蚀刻形成为条纹形状的开口，嵌入选择性地将所述开口内生长接触层10。
申请日期	1997-12-03
专利号	JP1999168257A
专利状态	失效
申请号	JP1997332840
公开（公告）号	JP1999168257A
IPC 分类号	H01L33/34 \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01L33/06 \| H05K3/40 \| H05K3/38 \| H05K1/02 \| H01L33/14 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H05K1/00 \| H01L33/28 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	杉浦正知
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81283
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	玉村好司. 半導体発光装置およびその製造方法. JP1999168257A[P]. 1999-06-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999168257A.PDF（59KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文