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II-VI族化合物半導体素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010056119A, 申请日期: 2010-03-11, 公开日期: 2010-03-11
发明人:  岸野 克巳;  野村 一郎;  山口 恭司;  田才 邦彦;  中島 博;  中村 均;  藤崎 寿美子
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半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010045165A, 申请日期: 2010-02-25, 公开日期: 2010-02-25
发明人:  岸野 克巳;  野村 一郎;  玉村 好司;  田才 邦彦;  朝妻 庸紀;  中島 博;  中村 均;  藤崎 寿美子;  紀川 健
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半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010040926A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18
发明人:  岸野 克巳;  野村 一郎;  田才 邦彦;  山口 恭司;  中村 均;  藤崎 寿美子;  紀川 健
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010040923A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18
发明人:  岸野 克巳;  野村 一郎;  田才 邦彦;  玉村 好司;  朝妻 庸紀;  中島 博;  中村 均;  藤崎 寿美子;  紀川 健
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具有InP衬底的光半导体装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100514774C, 申请日期: 2009-07-15, 公开日期: 2009-07-15
发明人:  岸野克巳;  野村一郎;  玉村好司;  中村均
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半導体素子および半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010016232A, 公开日期: 2010-01-21
发明人:  岸野 克巳;  野村 一郎;  田才 邦彦;  玉村 好司;  朝妻 庸紀;  中島 博;  中村 均;  藤崎 寿美子;  紀川 健
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