Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 岸野 克巳; 野村 一郎; 田才 邦彦; 玉村 好司; 朝妻 庸紀; 中島 博; 中村 均; 藤崎 寿美子; 紀川 健 | |
| 2010-02-18 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 2010-02-18 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】タイプII発光を抑制することにより発光効率を向上させることの可能な半導体発光素子を提供する。 【解決手段】n型クラッド層12(n型グレーデッド層13)と活性層16(ガイド層15)との間に、スペーサ層14が設けられている。スペーサ層14は、伝導帯下端がn型クラッド層12、n型グレーデッド層13、ガイド層15および活性層16の伝導帯下端よりも高い準位となるようなバンド構造を有しており、n型クラッド層12と活性層16とのタイプII発光を抑制するような材料および厚さにより構成されている。 【選択図】図2 |
| 其他摘要 | 种类：A1提供一种能够通过抑制II型发光来提高发光效率的半导体发光装置。 在n型包覆层（n型渐变层13）和有源层16（引导层15）之间提供间隔层。间隔层14具有带结构，使得导带的下端具有比n型包覆层12的导带下端，n型渐变层13，引导层15和有源层16更高的水平，形成包层12和有源层16，以抑制n型包层12和有源层16之间的II型发光。 .The |
| 申请日期 | 2008-08-07 |
| 专利号 | JP2010040923A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2008204400 |
| 公开（公告）号 | JP2010040923A |
| IPC 分类号 | H01S5/327 | H01S5/347 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 藤島 洋一郎 | 三反崎 泰司 | 長谷部 政男 | 田名網 孝昭 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88654 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岸野 克巳,野村 一郎,田才 邦彦,等. 半導体発光素子. JP2010040923A[P]. 2010-02-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2010040923A.PDF（129KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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