決定化合物半導體層之臨界膜厚的方法、以及使用該決定方法來製造半導體裝置的方法

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	決定化合物半導體層之臨界膜厚的方法、以及使用該決定方法來製造半導體裝置的方法
其他题名	決定化合物半導體層之臨界膜厚的方法、以及使用該決定方法來製造半導體裝置的方法
	玉村好司; 本弘範; 長井政春; 池田昌夫
	2001-02-21
专利权人	蘇妮股份有限公司
公开日期	2001-02-21
授权国家	中国台湾
专利类型	授权发明
摘要	應用本方法，化合物半導體層的臨界膜厚被決定，且在發光性能上優秀的具有一含有一最佳化的膜厚的化合物半導體層的半導體裝置被製造。藉由測量，一化合物半導體層的膜厚與對應於該膜厚的光激發光(P L)之間的關係被得到，P L展現峰值的膜厚被定為臨界膜厚。該半導體層包括至少包含鎘的Ⅱ一Ⅳ族化合物半導體層。藉由測量，臨界膜厚與鎘組成比例之間的關係被得到。一近似臨界膜厚與鎘組成比例之間的關係的方程式被算出。當一半導體裝置被製造時一化合物半導體層被形成，使得該層的厚度較由該方程式決定的臨界膜厚薄。
其他摘要	應用本方法，化合物半導體層的臨界膜厚被決定，且在發光性能上優秀的具有一含有一最佳化的膜厚的化合物半導體層的半導體裝置被製造。藉由測量，一化合物半導體層的膜厚與對應於該膜厚的光激發光(P L)之間的關係被得到，P L展現峰值的膜厚被定為臨界膜厚。該半導體層包括至少包含鎘的Ⅱ一Ⅳ族化合物半導體層。藉由測量，臨界膜厚與鎘組成比例之間的關係被得到。一近似臨界膜厚與鎘組成比例之間的關係的方程式被算出。當一半導體裝置被製造時一化合物半導體層被形成，使得該層的厚度較由該方程式決定的臨界膜厚薄。
申请日期	1995-11-17
专利号	TW423092B
专利状态	失效
申请号	TW084112277
公开（公告）号	TW423092B
IPC 分类号	H01L21/66 \| C30B25/16 \| H01L33/06 \| H01L33/28 \| H01L33/30 \| H01S5/00
专利代理人	林志剛
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34607
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	蘇妮股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	玉村好司,本弘範,長井政春,等. 決定化合物半導體層之臨界膜厚的方法、以及使用該決定方法來製造半導體裝置的方法. TW423092B[P]. 2001-02-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
TW423092B.PDF（819KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文