Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 具有InP衬底的光半导体装置 | |
| 其他题名 | 具有InP衬底的光半导体装置 |
| 岸野克巳; 野村一郎; 玉村好司; 中村均 | |
| 2009-07-15 | |
| 专利权人 | 株式会社日立制作所 |
| 公开日期 | 2009-07-15 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明针对通常情况下成为p型传导但载流子浓度仅得到小于1×1017cm-3的值这样的材料，提供得到大于等于1×1017cm-3的高p型载流子浓度的结构，进而，提供发光特性等特性良好、可靠性也高、长寿命的半导体光学元件和装置。作为解决方法，在InP衬底上作为在与InP衬底晶格匹配的主层Mg0.5Zn0.29Cd0.21Se层(10ML(原子层)厚度)之间插入ZnSe0.53Te0.47层(2ML)作为插入的特定层，通过以适度间隔插入单层的、大于等于1018cm-3的充分的载流子浓度这样的特定层，在以往仅得到小于1×1017cm-3这样的材料中全体结晶得到大于等于1×1017cm-3的充分的空穴浓度。 |
| 其他摘要 | 本发明针对通常情况下成为p型传导但载流子浓度仅得到小于1×1017cm-3的值这样的材料，提供得到大于等于1×1017cm-3的高p型载流子浓度的结构，进而，提供发光特性等特性良好、可靠性也高、长寿命的半导体光学元件和装置。作为解决方法，在InP衬底上作为在与InP衬底晶格匹配的主层Mg0.5Zn0.29Cd0.21Se层(10ML(原子层)厚度)之间插入ZnSe0.53Te0.47层(2ML)作为插入的特定层，通过以适度间隔插入单层的、大于等于1018cm-3的充分的载流子浓度这样的特定层，在以往仅得到小于1×1017cm-3这样的材料中全体结晶得到大于等于1×1017cm-3的充分的空穴浓度。 |
| 申请日期 | 2006-07-28 |
| 专利号 | CN100514774C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200610108927.2 |
| 公开（公告）号 | CN100514774C |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/347 | H01L33/00 | H01L31/0264 | H01L31/08 | H01L33/28 |
| 专利代理人 | 钟晶 |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48318 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立制作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岸野克巳,野村一郎,玉村好司,等. 具有InP衬底的光半导体装置. CN100514774C[P]. 2009-07-15. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN100514774C.PDF（2372KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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