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化合物半导体发光器件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1093988C, 申请日期: 2002-11-06, 公开日期: 2002-11-06
发明人:  石川正行;  新田康一
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半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3242967B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-25
发明人:  板谷 和彦;  新田 康一;  波多腰 玄一;  西川 幸江;  菅原 秀人;  鈴木 真理子
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3237870B2, 申请日期: 2001-10-05, 公开日期: 2001-12-10
发明人:  板谷 和彦;  波多腰 玄一;  新田 康一
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化合物半導体の電極の形成方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3165374B2, 申请日期: 2001-03-02, 公开日期: 2001-05-14
发明人:  新田 康一;  石松 純男
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3144821B2, 申请日期: 2001-01-05, 公开日期: 2001-03-12
发明人:  新田 康一;  石川 正行;  岡島 正季;  板谷 和彦;  波多腰 玄一
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3135250B2, 申请日期: 2000-12-01, 公开日期: 2001-02-13
发明人:  石川 正行;  新田 康一;  渡邊 実;  岡島 正季
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2997573B2, 申请日期: 1999-10-29, 公开日期: 2000-01-11
发明人:  西川 幸江;  新田 康一;  岡島 正季;  渡邊 実;  板谷 和彦;  波多腰 玄一
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半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2938198B2, 申请日期: 1999-06-11, 公开日期: 1999-08-23
发明人:  波多腰 玄一;  板谷 和彦;  西川 幸江;  鈴木 真理子;  新田 康一;  岡島 正季
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半導体装置、半導体装置の製造方法、及び窒化ガリウム系半導体の成長方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2919788B2, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-07-19
发明人:  新田 康一;  藤本 英俊;  石川 正行
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2909133B2, 申请日期: 1999-04-02, 公开日期: 1999-06-23
发明人:  新田 康一;  渡辺 幸雄
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