半導体レーザ装置及びその製造方法

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	半導体レーザ装置及びその製造方法
其他题名	半導体レーザ装置及びその製造方法
	波多腰玄一; 板谷和彦; 西川幸江; 鈴木真理子; 新田康一; 岡島正季
	1999-06-11
专利权人	株式会社東芝
公开日期	1999-08-23
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To provide a window-structure semiconductor laser device, of refractive-index waveguide type, which can be manufactured by a simple process. CONSTITUTION:The title laser device is composed of the following: a double heterostructure part in which an active layer has been sandwiched between an n-type clad layer and a p-type clad layer a first region which is formed on the p-type clad layer and in which a beam-radiant edge part has been removed in a stripe-shaped region in the direction of a resonator; and an n-type semiconductor layer in which an opening has been formed in second regions formed so as to sandwich the stripe-shaped region on the beam-radiant edge part. An effective refractive index in a third region sandwiched between the second regions is higher than that of the second regions; a band gap in the region of the active layer under the third region is larger than that under the first region. Since a waveguide structure and a window structure can be formed by two crystal growth operations, it is possible to realize a window-structure semiconductor laser, of refractive-index waveguide type, which can be manufactured by a simple process.
其他摘要	目的：提供一种折射率波导型窗口结构半导体激光器件，它可以通过简单的工艺制造。组成：标题激光设备由以下组成：双异质结构部分，其中有源层夹在n型覆层和p型覆层之间，第一区域形成在p型覆层上在谐振器方向上的条形区域中已经去除了光束辐射边缘部分; n型半导体层，其中在第二区域中形成开口，所述第二区域形成为将条形区域夹在光束辐射边缘部分上。夹在第二区域之间的第三区域中的有效折射率高于第二区域的有效折射率;第三区域下的有源层区域中的带隙大于第一区域下的带隙。由于可以通过两次晶体生长操作形成波导结构和窗口结构，因此可以实现折射率波导型的窗口结构半导体激光器，其可以通过简单的工艺制造。
申请日期	1991-01-24
专利号	JP2938198B2
专利状态	失效
申请号	JP1991007297
公开（公告）号	JP2938198B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/00 \| H01S5/16 \| H01S3/18
专利代理人	外川英明
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85042
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社東芝
推荐引用方式 GB/T 7714	波多腰玄一,板谷和彦,西川幸江,等. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP2938198B2[P]. 1999-06-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2938198B2.PDF（86KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文