Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 板谷 和彦; 波多腰 玄一; 新田 康一 | |
| 2001-10-05 | |
| 专利权人 | 株式会社東芝 |
| 公开日期 | 2001-12-10 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 InGaAlP半導体レーザの最適構造パラメータを与え、サージ耐量が十分に高く、かつ特性にも十分すぐれた半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 n-GaAs基板11上に、n-InGaAlPクラッド層13,InGaP活性層14及びp-InGaAlPクラッド層15,17からなるダブルヘテロ構造部を形成した半導体レーザ装置において、nクラッド層13又はpクラッド層15,17の厚さHを、nクラッド層13又はpクラッド層15,17と活性層14とのAl組成比の差Δxに対して、dを活性層厚,λを発振波長としたときに、0.3μm≦H≦0.24λ(Δxd/λ)-1/2を満たす範囲に設定したことを特徴とする。 |
| 其他摘要 | 提供一种半导体激光器件，其提供InGaAlP半导体激光器的最佳结构参数并具有足够高的抗浪涌性和特性。 在半导体激光器件中，包括n-InGaAlP包层13的双异质结构部分，InGaP有源层14和p-InGaAlP包层15,17形成在n-GaAs衬底11上，n覆层13将p包覆层15和17的厚度H设定为等于n包覆层13或p包覆层15和17与有源层14之间的Al组分比的差Δx，其中d是有源层厚度，λ是振荡波长设定在满足0.3μm≤H≤0.24λ（Δxd/λ） -1/2 的范围内。 |
| 申请日期 | 1991-07-26 |
| 专利号 | JP3237870B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991187556 |
| 公开（公告）号 | JP3237870B2 |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S | H01S5/22 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 外川 英明 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88021 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 板谷 和彦,波多腰 玄一,新田 康一. 半導体レーザ装置. JP3237870B2[P]. 2001-10-05. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3237870B2.PDF（43KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [板谷 和彦]的文章 |
| [波多腰 玄一]的文章 |
| [新田 康一]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [板谷 和彦]的文章 |
| [波多腰 玄一]的文章 |
| [新田 康一]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [板谷 和彦]的文章 |
| [波多腰 玄一]的文章 |
| [新田 康一]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论