半導体レーザ装置

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	半導体レーザ装置
其他题名	半導体レーザ装置
	新田康一; 石川正行; 岡島正季; 板谷和彦; 波多腰玄一
	2001-01-05
专利权人	株式会社東芝
公开日期	2001-03-12
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To prevent light from being absorbed near a light-radiating part in an active layer by a method wherein a band gap at a light-radiating edge part in the active layer is made larger than that at a main light-emitting part in the active layer. CONSTITUTION:A buffer layer 11, clad layers 12, 14, 16, 20, an active layer 13, an etching-stop layer 15, a cap layer 17, a current-blocking layer 18, a guide layer 19, an intermediate gap layer 21 and a contact layer 22 are formed on an n-GaAs substrate 10. A stripe-shaped opening part 18a which reaches the etching-stop layer 15 is made in the clad layer 16, the cap layer 17 and the current-blocking layer 18. At the active layer 13, a part (a main light-emitting part) directly under the stripe-shaped opening part 18a in the current-blocking layer 18 is a low-energy-gap region 13a; a part (indicated by shaded lines) under other regions of the current-blocking layer 19 is a high-energy-gap region 13b. The individual layers mentioned above are formed of an InGaAlP-based semiconductor layer and the like.
其他摘要	用途：通过如下方法防止光在有源层中的光辐射部分附近被吸收，其中使有源层中的光辐射边缘部分处的带隙大于在有源层中的主要光发射部分处的带隙。活动层。组成：缓冲层11，包层12,14,16,20，有源层13，蚀刻停止层15，盖层17，电流阻挡层18，引导层19，中间间隙层接触层22形成在n-GaAs衬底10上。在覆层16，覆盖层17和电流阻挡层18中形成到达蚀刻停止层15的条形开口部分18a。在有源层13中，电流阻挡层18中的条形开口部分18a正下方的部分（主发光部分）是低能隙区域13a;在电流阻挡层19的其他区域下方的部分（由阴影线表示）是高能隙区域13b。上述各个层由InGaAlP基半导体层等形成。
申请日期	1991-04-30
专利号	JP3144821B2
专利状态	失效
申请号	JP1991099160
公开（公告）号	JP3144821B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/00 \| H01S5/223
专利代理人	鈴江武彦
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83488
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社東芝
推荐引用方式 GB/T 7714	新田康一,石川正行,岡島正季,等. 半導体レーザ装置. JP3144821B2[P]. 2001-01-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3144821B2.PDF（224KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文