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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000340885A, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2000-12-08
发明人:  玄永 康一;  田中 明;  奥田 肇;  島田 直弘;  伊藤 義行;  塩澤 秀夫;  渡邊 実
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3135250B2, 申请日期: 2000-12-01, 公开日期: 2001-02-13
发明人:  石川 正行;  新田 康一;  渡邊 実;  岡島 正季
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半導体レーザー装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000236139A, 申请日期: 2000-08-29, 公开日期: 2000-08-29
发明人:  渡邊 実;  伊藤 義行;  奥田 肇
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2997573B2, 申请日期: 1999-10-29, 公开日期: 2000-01-11
发明人:  西川 幸江;  新田 康一;  岡島 正季;  渡邊 実;  板谷 和彦;  波多腰 玄一
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半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999284272A, 申请日期: 1999-10-15, 公开日期: 1999-10-15
发明人:  渡 邊 実
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半導体レ-ザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998215021A, 申请日期: 1998-08-11, 公开日期: 1998-08-11
发明人:  渡邊 実
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996078789A, 申请日期: 1996-03-22, 公开日期: 1996-03-22
发明人:  渡邊 実
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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995335972A, 申请日期: 1995-12-22, 公开日期: 1995-12-22
发明人:  伊藤 義行;  松浦 初美;  渡邊 実;  島田 直弘;  栗原 春樹
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半導体レ-ザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995106687A, 申请日期: 1995-04-21, 公开日期: 1995-04-21
发明人:  渡邊 実
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半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995099363A, 申请日期: 1995-04-11, 公开日期: 1995-04-11
发明人:  渡邊 実
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