Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 石川 正行; 新田 康一; 渡邊 実; 岡島 正季 | |
| 2000-12-01 | |
| 专利权人 | 株式会社東芝 |
| 公开日期 | 2001-02-13 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | PURPOSE:To make possible the improvement of the maximum usable light output by a method wherein the lattice constant of a quantum well region is made large compared to the lattice constant of a substrate. CONSTITUTION:An n-type GaAs buffer layer 12, an n-type InGaAlP clad layer 13, a quantum well structure active layer 14 and a p-type InGaAlP clad layer 15 are grown and formed on a substrate 11, one part of the layer 15 is etched to its middle, a ridge is formed at the layer 15, a p-type InGaP cap layer 16 is formed on this ridge and a p-type GaAs contact layer 17 is formed on the layers 16 and 15. The layer 14 is formed by laminating a quantum well layer 14a and a barrier layer 14b. The composition of the layer 14a is changed, the lattice mismatching degree of the layer 14a to the substrate 11 is increased by 0.6 to 2% and the thickness of the layer 14a is formed into a thickness of 50 to 100 Angstrom . |
| 其他摘要 | 目的：通过一种方法可以改善最大可用光输出，其中量子阱区的晶格常数与衬底的晶格常数相比变大。组成：n型GaAs缓冲层12，n型InGaAlP包层13，量子阱结构有源层14和p型InGaAlP包层15生长并形成在基板11上，该层的一部分如图15所示，在其中间蚀刻15，在层15上形成脊，在该脊上形成p型InGaP盖层16，并在层16和15上形成p型GaAs接触层17。通过层叠量子阱层14a和阻挡层14b形成。改变层14a的组成，层14a与基板11的晶格失配度增加0.6至2％，层14a的厚度形成50至100埃的厚度。 |
| 申请日期 | 1990-08-24 |
| 专利号 | JP3135250B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1990221281 |
| 公开（公告）号 | JP3135250B2 |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S | H01S5/22 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 鈴江 武彦 (外3名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76214 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石川 正行,新田 康一,渡邊 実,等. 半導体レーザ装置. JP3135250B2[P]. 2000-12-01. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3135250B2.PDF（44KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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