Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 化合物半导体发光器件 | |
| 其他题名 | 化合物半导体发光器件 |
| 石川正行; 新田康一 | |
| 2002-11-06 | |
| 专利权人 | 株式会社东芝 |
| 公开日期 | 2002-11-06 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种具有高抗浪涌能力和高可靠性的半导体发光二极管，其结构包括形成在发光元件的阳极和阴极之间的附加电容。具体地，在兰宝石衬底上有n型GaN半导体层、GaN基半导体有源层、和p型GaN基半导体层的LED中，阴极形成在n型GaN半导体层上，并且电极布线从p型GaN基半导体层的顶部延伸以形成电容。 |
| 其他摘要 | 一种具有高抗浪涌能力和高可靠性的半导体发光二极管，其结构包括形成在发光元件的阳极和阴极之间的附加电容。具体地，在兰宝石衬底上有n型GaN半导体层、GaN基半导体有源层、和p型GaN基半导体层的LED中，阴极形成在n型GaN半导体层上，并且电极布线从p型GaN基半导体层的顶部延伸以形成电容。 |
| 申请日期 | 1997-09-09 |
| 专利号 | CN1093988C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN97118235.3 |
| 公开（公告）号 | CN1093988C |
| IPC 分类号 | H01L27/15 | H01L33/32 | H01L33/62 | H01S5/026 | H01S5/042 | H01S5/323 | H01L33/00 | H01S5/32 |
| 专利代理人 | 王永刚 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49209 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社东芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石川正行,新田康一. 化合物半导体发光器件. CN1093988C[P]. 2002-11-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1093988C.PDF（1477KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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