Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 化合物半導体の電極の形成方法 | |
| 其他题名 | 化合物半導体の電極の形成方法 |
| 新田 康一; 石松 純男 | |
| 2001-03-02 | |
| 专利权人 | 株式会社東芝 |
| 公开日期 | 2001-05-14 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】 操作が容易で適用範囲の広い窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法を提供する。 【解決手段】 三塩化ホウ素(BCl3 )と塩素(Cl2 )を含むエッチングガスを使用した平行平板型プラズマエッチングによりp-Inx Aly Ga1-x-yNおよびn-Inx Aly Ga1-x-y N層を選択的にエッチングし、青色発光ダイオードを製造する方法である。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过用含有三氯化硼和氯的蚀刻气体蚀刻第二覆层和由氮化镓半导体构成的有源层来制造成为氟碳气体控制对象的这种蚀刻气体是不必要的。解决方案：在将蓝宝石衬底100放置在石英板17上之后，将真空室11抽真空。然后通过第一反应气体引入管13和第二反应气体引入管13以50sccm和5sccm的速率将三氯化硼BC3和氯C2分别引入腔室11，并且在频率之间提供13.56MHz的高频电功率。第一和第二电极。结果，在腔室11中产生反应气体的等离子体，并且可以干法蚀刻氮化镓半导体的层叠体。因此，可以实现能够蚀刻各种半导体，特别是GaN化合物半导体而不使用成为碳氟化合物气体控制对象的这种蚀刻气体的干蚀刻方法。 |
| 授权日期 | 2001-03-02 |
| 申请日期 | 1996-08-30 |
| 专利号 | JP3165374B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996230688 |
| 公开（公告）号 | JP3165374B2 |
| IPC 分类号 | H01L | H01S5/02 | C23F | H01S | C23F1/00 | H01L21/302 | H01S5/323 | H01L33/12 | H01L33/42 | C23F4/00 | H01L21/3065 | H01S5/042 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 三好 秀和 (外3名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39659 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 新田 康一,石松 純男. 化合物半導体の電極の形成方法. JP3165374B2[P]. 2001-03-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3165374B2.PDF（71KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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