Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 板谷 和彦; 新田 康一; 波多腰 玄一; 西川 幸江; 菅原 秀人; 鈴木 真理子 | |
| 2001-10-19 | |
| 专利权人 | 株式会社東芝 |
| 公开日期 | 2001-12-25 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 活性層とクラッド層との間の十分大きなバンドギャップ差を実現することができ、温度特性を改善することで、300℃以上の使用にも十分耐え得る半導体レーザを提供すること。 【構成】 n型GaAs基板11上に、n型クラッド層13,活性層14及びp型クラッド層15を順次成長形成したダブルヘテロ構造部を有する半導体レーザにおいて、活性層14としてGaAsを用い、クラッド層13,15としてIn0.5 (Ga1-x Alx )0.5 Pを用い、且つクラッド層のAl組成比xをx≧0.3としたことを特徴とする。 |
| 其他摘要 | 目的：通过在有源层和包层之间实现足够的带隙差异，提供能够在高温下工作的半导体激光器。组成：半导体激光器具有双异质结构，其中n型包层13，有源层14和p型包层15依次生长在n型GaAs衬底11上。有源层14 GaAs是GaAs，包层13和15是In0.5（Ga1-xAlx）0.5P，其中x等于或大于0.3。 |
| 申请日期 | 1992-01-31 |
| 专利号 | JP3242967B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992016932 |
| 公开（公告）号 | JP3242967B2 |
| IPC 分类号 | H01S5/30 | H01L | H01S | H01L33/12 | H01S5/32 | H01S5/223 | H01S5/323 | H01S5/042 | H01L33/14 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 鈴江 武彦 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87456 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 板谷 和彦,新田 康一,波多腰 玄一,等. 半導体発光素子. JP3242967B2[P]. 2001-10-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3242967B2.PDF（48KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [板谷 和彦]的文章 |
| [新田 康一]的文章 |
| [波多腰 玄一]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [板谷 和彦]的文章 |
| [新田 康一]的文章 |
| [波多腰 玄一]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [板谷 和彦]的文章 |
| [新田 康一]的文章 |
| [波多腰 玄一]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论