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| 低温808 nm高效率半导体激光器 期刊论文
发光学报, 2022, 卷号: 43, 期号: 5
作者: 吴顺华; 刘国军; 王贞福 ; 李特
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半导体激光器 载流子泄漏 低温 高效率 温度效应 |
| 具有双层亚波长光栅反射镜的垂直腔面发射半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106654858A, 申请日期: 2017-05-10, 公开日期: 2017-05-10
发明人: 郝永芹; 谢检来; 王勇; 冯源; 晏长岭; 邹永刚; 刘国军; 王霞; 王志伟
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| 一种提高半导体激光器可靠性方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106300010A, 申请日期: 2017-01-04, 公开日期: 2017-01-04
发明人: 李再金; 李特; 曲轶; 乔忠良; 李辉; 李林; 刘国军; 薄报学; 马晓辉
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| 一种低电压损耗半导体激光器外延结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105322440A, 申请日期: 2016-02-10, 公开日期: 2016-02-10
发明人: 李特; 乔忠良; 郝二娟; 李再金; 芦鹏; 曲轶; 刘国军
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| 带有微反射镜的硅基V型槽制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105278042A, 申请日期: 2016-01-27, 公开日期: 2016-01-27
发明人: 刘鹏程; 刘国军; 李洪雨; 魏志鹏; 冯源; 郝永芹; 安宁; 陈芳; 何斌太; 刘超; 王清桃; 席文星
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| 一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外激光器的外延结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105281201A, 申请日期: 2016-01-27, 公开日期: 2016-01-27
发明人: 安宁; 刘国军; 刘超; 李占国; 刘鹏程; 何斌太; 常量; 马晓辉; 席文星
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| 一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104466679A, 申请日期: 2015-03-25, 公开日期: 2015-03-25
发明人: 李占国; 尤明慧; 乔忠良; 王勇; 高欣; 刘国军; 曲轶; 马晓辉
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| 一种使用湿法刻蚀法制备GaAs微透镜的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103454703A, 申请日期: 2013-12-18, 公开日期: 2013-12-18
发明人: 刘国军; 单少杰; 郝永芹; 魏志鹏; 冯源; 李特; 安宁; 周路; 罗扩郎; 陈芳; 何斌太; 刘鹏程
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| 一种超晶格波导半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103384046A, 申请日期: 2013-11-06, 公开日期: 2013-11-06
发明人: 李特; 张月; 李再金; 郝二娟; 邹永刚; 芦鹏; 曲轶; 刘国军; 马晓辉
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| 一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102013629B, 申请日期: 2013-04-10, 公开日期: 2013-04-10
发明人: 张斯钰; 乔忠良; 薄报学; 高欣; 曲轶; 李辉; 王玉霞; 李占国; 芦鹏; 王勇; 李特; 李再金; 邹永刚; 李林; 刘国军
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