一种低电压损耗半导体激光器外延结构

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	一种低电压损耗半导体激光器外延结构
其他题名	一种低电压损耗半导体激光器外延结构
	李特; 乔忠良; 郝二娟; 李再金; 芦鹏; 曲轶; 刘国军
	2016-02-10
专利权人	长春理工大学
公开日期	2016-02-10
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明属于半导体光电子学技术领域，涉及一种低电压损耗半导体激光外延结构，包括：一衬底，为(100)面的N型GaAs材料，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；一缓冲层，在衬底上，为N型GaAs材料；一N型下限制层，在缓冲层上，为N型稀氮In0.48Ga0.52NyP1-y材料；一下波导层，在下限制层上，为N型GaAs材料；一量子阱层，该量子阱材料为InGaAs单量子阱，制作在下波导层上；一上波导层，为P型AlGaAs材料，该上波导层在量子阱层上；一P型上限制层，在上波导层上，为P型AlGaAs材料；一过渡层，在P型上限制层上，为P型GaAs材料；一电极接触层，为P型GaAs材料，在过渡层上。其中选用稀氮In0.48Ga0.52NyP1-y/GaAs材料组合作为下限制层和波导层结构，该材料体系能够在晶格匹配的条件下，降低界面处的导带差，减小载流子传输过程中的电压损耗。
其他摘要	本发明属于半导体光电子学技术领域，涉及一种低电压损耗半导体激光外延结构，包括：一衬底，为(100)面的N型GaAs材料，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；一缓冲层，在衬底上，为N型GaAs材料；一N型下限制层，在缓冲层上，为N型稀氮In0.48Ga0.52NyP1-y材料；一下波导层，在下限制层上，为N型GaAs材料；一量子阱层，该量子阱材料为InGaAs单量子阱，制作在下波导层上；一上波导层，为P型AlGaAs材料，该上波导层在量子阱层上；一P型上限制层，在上波导层上，为P型AlGaAs材料；一过渡层，在P型上限制层上，为P型GaAs材料；一电极接触层，为P型GaAs材料，在过渡层上。其中选用稀氮In0.48Ga0.52NyP1-y/GaAs材料组合作为下限制层和波导层结构，该材料体系能够在晶格匹配的条件下，降低界面处的导带差，减小载流子传输过程中的电压损耗。
主权项	一种低电压损耗半导体激光器外延结构，其特征在于，包括：一衬底，为(100)面的N型GaAs材料，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；一缓冲层，为N-GaAs材料，该缓冲层制作在衬底上；一N型下限制层，为稀氮N-In0.48Ga0.52NyP1-y材料，该N型下限制层制作在缓冲层上；一N型下波导层，为N-GaAs材料，该下波导层制作在下限制层上；一量子阱层，该量子阱有源区材料为成熟的In0.2Ga0.8As，该量子阱为单量子阱，制作在下波导层上；一P型上波导层，为P-AlGaAs材料，该上波导层制作在量子阱层上；一P型上限制层，为P-AlGaAs材料，该P型上限制层制作在上波导层上；一过渡层，为P-GaAs材料，该过渡层制作在P型上限制层上；一电极接触层，为P-GaAs材料，该电极接触层制作在过渡层上。
申请日期	2014-06-18
专利号	CN105322440A
专利状态	失效
申请号	CN201410279694.7
公开（公告）号	CN105322440A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63728
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	李特,乔忠良,郝二娟,等. 一种低电压损耗半导体激光器外延结构. CN105322440A[P]. 2016-02-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105322440A.PDF（272KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文