带有微反射镜的硅基V型槽制备方法

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	带有微反射镜的硅基V型槽制备方法
其他题名	带有微反射镜的硅基V型槽制备方法
	刘鹏程; 刘国军; 李洪雨; 魏志鹏; 冯源; 郝永芹; 安宁; 陈芳; 何斌太; 刘超; 王清桃; 席文星
	2016-01-27
专利权人	长春理工大学
公开日期	2016-01-27
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种带有微反射镜的硅基V型槽制备方法，该方法包括：模拟：根据硅在KOH刻蚀液中的各向异性特征使用Anisotropic？crystalline？etching？simulation（ACES）软件进行模拟找出了产生V型槽及微反射镜的特定刻蚀晶向；硅刻蚀：根据Si、SiO2在KOH刻蚀液中的选择比及它们的热膨胀系数确定了实用的掩膜，调整KOH、IPA、水的配比及刻蚀反映温度刻蚀出V型槽及45o的微反射镜；镀膜：使用镀膜软件TFC找到经济实用的Si/SiO2系高反膜，利用磁控溅射技术沉积薄膜，减少刻蚀形成的损伤提高微反射镜的反射率。本发明可适用于垂直腔面激光器（VCSEL）与尾纤的耦合，或者其他需要折转光路的耦合情形，有效的提高了激光器与光纤的耦合效率。
其他摘要	本发明涉及一种带有微反射镜的硅基V型槽制备方法，该方法包括：模拟：根据硅在KOH刻蚀液中的各向异性特征使用Anisotropic？crystalline？etching？simulation（ACES）软件进行模拟找出了产生V型槽及微反射镜的特定刻蚀晶向；硅刻蚀：根据Si、SiO2在KOH刻蚀液中的选择比及它们的热膨胀系数确定了实用的掩膜，调整KOH、IPA、水的配比及刻蚀反映温度刻蚀出V型槽及45o的微反射镜；镀膜：使用镀膜软件TFC找到经济实用的Si/SiO2系高反膜，利用磁控溅射技术沉积薄膜，减少刻蚀形成的损伤提高微反射镜的反射率。本发明可适用于垂直腔面激光器（VCSEL）与尾纤的耦合，或者其他需要折转光路的耦合情形，有效的提高了激光器与光纤的耦合效率。
主权项	一种带有微反射镜的硅基V型槽制备方法，其特征在于包括以下步骤： 1)用丙酮、乙醇-超声波对Si片进行标准清洗； 2)将Si片在HF水溶液中浸泡1～2分钟； 3)去离子水冲洗，使用氮气吹干Si片并移入热氧化炉中进行湿氧氧化； 4)氧化完成后取出Si片放入快速热退火炉中，对Si片进行快速热退火； 5)进行光刻、显影； 6)显影完成的Si片，用氮气吹干后，用HF溶液对SiO2进行腐蚀； 7)使用KOH水溶液对Si进行腐蚀； 8)使用磁控溅射技术对腐蚀完成的V型槽及微反射镜进行镀膜。
申请日期	2014-07-21
专利号	CN105278042A
专利状态	失效
申请号	CN201410347308.3
公开（公告）号	CN105278042A
IPC 分类号	G02B6/36 \| G02B6/43 \| G03F7/20 \| C23C14/35
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63745
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	刘鹏程,刘国军,李洪雨,等. 带有微反射镜的硅基V型槽制备方法. CN105278042A[P]. 2016-01-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105278042A.PDF（651KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文