一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外激光器的外延结构

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	一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外激光器的外延结构
其他题名	一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外激光器的外延结构
	安宁; 刘国军; 刘超; 李占国; 刘鹏程; 何斌太; 常量; 马晓辉; 席文星
	2016-01-27
专利权人	长春理工大学
公开日期	2016-01-27
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外半导体激光器的外延结构,涉及半导体激光器外延技术领域。包括GaSb衬底、缓冲层、n型限制层、n型波导层、有源区、p型波导层、电子阻挡层和p型限制层，其特征在于所述p型波导层和p型限制层之间存在电子阻挡层，所述电子阻挡层导带电势高于p型限制层导带电势。同现有技术相比，本发明能够减少量子阱内的Auger复合，抑制量子阱中导带电子向p型限制层的溢出，有效地提高GaSb基中红外半导体激光器的性能。
其他摘要	一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外半导体激光器的外延结构,涉及半导体激光器外延技术领域。包括GaSb衬底、缓冲层、n型限制层、n型波导层、有源区、p型波导层、电子阻挡层和p型限制层，其特征在于所述p型波导层和p型限制层之间存在电子阻挡层，所述电子阻挡层导带电势高于p型限制层导带电势。同现有技术相比，本发明能够减少量子阱内的Auger复合，抑制量子阱中导带电子向p型限制层的溢出，有效地提高GaSb基中红外半导体激光器的性能。
主权项	一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外激光器的外延结构，包括GaSb衬底(1)、缓冲层(2)、n型限制层(3)、下波导层(4)、有源区(5)、上波导层(6)、电子阻挡层(7)和p型限制层(8)，其特征在于所述p型波导层和p型限制层之间存在电子阻挡层。
申请日期	2014-07-21
专利号	CN105281201A
专利状态	失效
申请号	CN201410346740.0
公开（公告）号	CN105281201A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65724
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	安宁,刘国军,刘超,等. 一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外激光器的外延结构. CN105281201A[P]. 2016-01-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105281201A.PDF（778KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文