一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构
其他题名	一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构
	李占国; 尤明慧; 乔忠良; 王勇; 高欣; 刘国军; 曲轶; 马晓辉
	2015-03-25
专利权人	长春理工大学
公开日期	2015-03-25
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提出了一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构，其基本思想是采用InAsSb量子点，在理论上InAsSb量子点可以满足量子点的发射波长进入3μm和5μm通信波段。在预先刻蚀的“类似倒三棱锥体”图形衬底上制备高质量、高反射率的超晶格布拉格反射镜（DBR）层，这在一定程度上增加了量子点和起始生长界面的物理距离，同时，大大地增加了量子点发光的捕获效率，使发光效率大大提高。可实现高质量超低密度、位置可控，加之高反射率DBR层对量子点发光的有效收集，并以此为基础为制作通信波段用的量子点单光子发射器件打下基础。
其他摘要	本发明提出了一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构，其基本思想是采用InAsSb量子点，在理论上InAsSb量子点可以满足量子点的发射波长进入3μm和5μm通信波段。在预先刻蚀的“类似倒三棱锥体”图形衬底上制备高质量、高反射率的超晶格布拉格反射镜（DBR）层，这在一定程度上增加了量子点和起始生长界面的物理距离，同时，大大地增加了量子点发光的捕获效率，使发光效率大大提高。可实现高质量超低密度、位置可控，加之高反射率DBR层对量子点发光的有效收集，并以此为基础为制作通信波段用的量子点单光子发射器件打下基础。
申请日期	2014-12-25
专利号	CN104466679A
专利状态	失效
申请号	CN201410816032.9
公开（公告）号	CN104466679A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90686
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	李占国,尤明慧,乔忠良,等. 一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构. CN104466679A[P]. 2015-03-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104466679A.PDF（1020KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文