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半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3621155B2, 申请日期: 2004-11-26, 公开日期: 2005-02-16
发明人:  元田 隆;  加藤 学
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光半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998079554A, 申请日期: 1998-03-24, 公开日期: 1998-03-24
发明人:  元田 隆;  小野 健一
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半导体激光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1159084A, 申请日期: 1997-09-10, 公开日期: 1997-09-10
发明人:  元田隆;  小野健一
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半导体器件、半导体激光器和高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1153411A, 申请日期: 1997-07-02, 公开日期: 1997-07-02
发明人:  小野健一;  元田隆
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半導体レーザ装置およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997172220A, 申请日期: 1997-06-30, 公开日期: 1997-06-30
发明人:  藤井 就亮;  元田 隆
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可視光レーザダイオードの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2656397B2, 申请日期: 1997-05-30, 公开日期: 1997-09-24
发明人:  元田 隆
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半导体器件的制造方法和半导体器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1144396A, 申请日期: 1997-03-05, 公开日期: 1997-03-05
发明人:  元田隆;  加藤学
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半導體雷射之製法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: TW290751B, 申请日期: 1996-11-11, 公开日期: 1996-11-11
发明人:  元田隆;  加藤學
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多重量子障壁、半導体レーザチップとその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996125261A, 申请日期: 1996-05-17, 公开日期: 1996-05-17
发明人:  元田 隆;  加藤 学
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半導体レーザ,及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996088434A, 申请日期: 1996-04-02, 公开日期: 1996-04-02
发明人:  元田 隆;  加藤 学
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