Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 光半導体装置 | |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 元田 隆; 小野 健一 | |
| 1998-03-24 | |
| 专利权人 | 三菱電機株式会社 |
| 公开日期 | 1998-03-24 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 活性層とクラッド層との間のエネルギー障壁を高くして、電子のオーバーフローをなくすこと。 【解決手段】 活性層3とp型第1上クラッド層4aとの間に、(Alx Ga(1-x) )0.5In0.5 P(x=0.7)層10aと(Alx Ga(1-x) )0.5In0.5P(x=0)層10bとを交互に積層してなる超格子障壁層10を配置するようにした。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：使位于有源层和包层之间的能垒能够增强高度以抑制电子溢出能垒，从而改善光学半导体器件的LD特性和操作特性，尤其是在通过一种方法得到高温，其中在第二导电型包层和有源层之间提供特定超晶格结构的第二导电型超晶格阻挡层。解决方案：半导体有源层3设置在第一导电型包层2和第二导电型包层4之间。超晶格结构的第二导电型超晶格阻挡层10，由一对或多对组成。第一化学化合物半导体10a，其带隙能量大于有源层3，第二化学化合物半导体1b的导带能量差和ΔEC各自小于第一化学化合物半导体10a的价带能量差和ΔEV在第二导电类型包层4和有源层3之间提供化学半导体10a和10b，其中化学半导体10a和10b交替层叠以形成第二导电型超晶格阻挡层10.例如，第一化学化合物半导体10a是由式（Al0.7Ga0.3）0.5In0.5P表示，第二化学化合物半导体10b由式Al0.5In0表示。5 P. |
| 申请日期 | 1996-09-04 |
| 专利号 | JP1998079554A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996233846 |
| 公开（公告）号 | JP1998079554A |
| IPC 分类号 | H01S5/20 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 早瀬 憲一 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77709 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 元田 隆,小野 健一. 光半導体装置. JP1998079554A[P]. 1998-03-24. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1998079554A.PDF（39KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [元田 隆]的文章 |
| [小野 健一]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [元田 隆]的文章 |
| [小野 健一]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [元田 隆]的文章 |
| [小野 健一]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论