Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導體雷射之製法 | |
| 其他题名 | 半導體雷射之製法 |
| 元田隆; 加藤學 | |
| 1996-11-11 | |
| 专利权人 | 三菱電機股份有限公司 |
| 公开日期 | 1996-11-11 |
| 授权国家 | 中国台湾 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本發明之目的係在於提供一種半導體雷射之製法，其在半導體基板之一主面上在預定之成長溫度以上的溫度內形成活性層，係由隨著成長溫度上升而具有因單調遞增能帶隙而成長之性質的化合物半導體材料所構成，以上述預定之成長溫度以上的溫度使之在其雷射諧振器端面近旁之至少包含構成導波路領域的窗構造部形成領域，變得比其該窗構造部形成領域以外的領域還高溫成長，並包含其上述窗構造部形成領域之能帶隙變得比該窗構造部形成領域以外之領域的能帶隙還大之製程者。 |
| 其他摘要 | 本發明之目的係在於提供一種半導體雷射之製法，其在半導體基板之一主面上在預定之成長溫度以上的溫度內形成活性層，係由隨著成長溫度上升而具有因單調遞增能帶隙而成長之性質的化合物半導體材料所構成，以上述預定之成長溫度以上的溫度使之在其雷射諧振器端面近旁之至少包含構成導波路領域的窗構造部形成領域，變得比其該窗構造部形成領域以外的領域還高溫成長，並包含其上述窗構造部形成領域之能帶隙變得比該窗構造部形成領域以外之領域的能帶隙還大之製程者。 |
| 授权日期 | 1996-11-11 |
| 申请日期 | 1995-10-12 |
| 专利号 | TW290751B |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | TW084110795 |
| 公开（公告）号 | TW290751B |
| IPC 分类号 | H01S5/16 | H01L33/00 | H01L33/06 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01S5/02 | H01S5/323 | H01S3/19 |
| 专利代理人 | 賴經臣 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42154 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 元田隆,加藤學. 半導體雷射之製法. TW290751B[P]. 1996-11-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| TW290751B.PDF（3676KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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